Оперативная память DDR4 Samsung 3200 МГц M471A5244CB0CWE 4 ГБ



#товара: 18880369367


Состояние Новый

Счет-фактура Я выставляю счет-фактуру НДС

Тип памяти DDR4

Емкость 4 ГБ

Количество модулей один

Вес с индивидуальной упаковкой 0.01 кг

ЕАН (GTIN) 42153689

Код производителя M471A5244CB0CWE

Производитель Самсунг

Дополнительные характеристики позолоченные разъемы

Охлаждение нет

Цвет зеленый

Напряжение 1.2 В

Задержки (Cycle Latency) Двадцать два

Емкость одного модуля 4 ГБ

Частота шины памяти (Мгц) Три тысячи двести

Тип разъема SO-DIMM

Сертификаты соответствия CE

Модель M471A5244CB0-CWE

Количество 33 штук

  • Количество

  • Проблемы? Сомнения? Вопросы? Задайте вопрос!

    ОЗУ ДЛЯ НОУТБУКА (SO-DIMM)

    SAMSUNG M471A5244CB0-CWE

    4 ГБ - 1Rx16 - PC4-3200AA-SC0-11 - DDR4 / PC4 - 3200 МГц - CL22 - 1,2В

    ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

    • Производитель: SAMSUNG
    • Модель: M471A5244CB0-CWE
    • Тип: SO-DIMM
    • Объем: 4
    • Стандарт: DDR4 / PC4
    • Скорость: 3200
    • Классификация: PC4-3200AA-SC0-11
    • Задержка: 22
    • Напряжение: 1.2В
    • Разъем: 260 контактов
    • Ранг: 1Rx16
    • Не буферизованная: Да
    • Коррекция ошибок: Non-ECC

    SAMSUNG

    SAMSUNG — с момента основания компании в корейском Сувоне в 1969 году Samsung Electronics выросла до уровня лидера в области информационных технологий и в настоящее время имеет более 200 филиалов по всему миру. Компания Samsung также остается надежным поставщиком ключевых электронных компонентов, таких как память DRAM и другие полупроводники. Приоритетом компании Samsung является создание и предоставление высококачественных продуктов и услуг, которые улучшают комфорт и облегчают жизнь клиентам со всего мира. Компания Samsung стремится приносить положительные изменения в мировое сообщество через постоянный поиск прорывных инноваций и создание ценности.

    СТАНДАРТ ПАМЯТИ

    DDR4

    Большинство типов модулей SO-DIMM можно визуально распознать по характерным вырезам:

    260-контактные модули SO-DIMM (DDR4 SDRAM), ширина 69,6 мм (2,74 дюйма) и высота 30 мм (1,2 дюйма), что делает их на 2 мм (0,079 дюйма) шире модулей SO-DIMM DDR3, с одним вырезом на контакте 144.

    Память DDR4 позволяет использовать напряжение 1,2 В по сравнению с 1,5 В для DDR3, 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR. Благодаря этому память DDR4 характеризуется сниженным энергопотреблением примерно на 20% по сравнению с памятью DDR3 и большей пропускной способностью по сравнению с DDR3, DDR2 и DDR. Память DDR4 не совместима обратно, то есть не работает с чипсетами, поддерживающими DDR, DDR2 и DDR3.

    Поддержка памяти DDR4 процессорами была введена в 2014 году в чипсетах материнских плат.

    В случае продуктов компании AMD, память DDR4 поддерживается всеми материнскими платами на базе разъёмов AM4, TR4 и SP3.

    Память DDR4 SDRAM выпускается в модулях ёмкостью от 2 ГБ до 32 ГБ.

    БОЛЬШАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ В РЕЖИМЕ DUAL CHANNEL

    Память, которую мы вам отправим, без проблем будет работать совместно в этом режиме.

    DUAL CHANNEL — это технология, используемая в контроллерах памяти для более эффективного управления оперативной памятью, которая заключается в удвоении пропускной способности передачи данных между контроллером памяти и ОЗУ, что приводит к увеличению производительности на 20%-40%.

    0